在很長一段時間內，基于“對稱性”和“序參量”的朗道相變理論被認為是凝聚態物質分類的“終極理論”，直到拓撲量子物態被實驗發現。
最著名的例子是大概就是量子霍爾效應的實驗發現了。
1980年克勞斯馮克利辛等人發現，在極低溫、強磁場下，sisio2界面反型層中二維電子氣會展示出量子化的霍爾電阻平臺，并且會伴隨零縱向電阻的出現。
這種現象引出了超越朗道范式的拓撲量子相變理論，如今已經成為了凝聚態物理的研究焦點與前沿
一點一點的，徐川從最初的凝聚態物理開始回憶思索，當量子霍爾效應進入他的腦海時，他的眼神也的跟著逐漸明亮了起來。
他似乎找到了自己之前的靈感來源于哪里了。
思索著，他加快了一些推理的速度。
“從整數量子霍爾效應從實驗發現至今，已發現相當多的拓撲量子材料和新奇的量子效應。“
“比如磁性拓撲材料中手性無耗散邊緣態可實現低能耗電子器件，以及拓撲超導體系中則存在馬約拉納零能模等等。“
“后者與拓撲量子計算密切相關，它們是拓撲量子物態兩個重要的發展方向，等等，拓撲量子物態我找到了“
辦公桌前，徐川激奮雙手攥拳用力的揮舞了一下。
他重新找回了自己的那絲靈感，找到了在那份數據中發現的東西
拓撲超導體系
一個區別于常規超導材料的領域，應用于拓撲量子計算方向的材料
在拓撲超導體材料中，有一個非常重要的東西叫做馬約拉納零能模。
它具有非阿貝爾任意子的特征，可以用于實現拓撲量子計算。
即實現常規意義上的量子計算機計算
2001年的時候，米國的理論物理學家基塔耶夫提出一個一維拓撲超導的模型，在其端點可以實現馬約拉納零能模。
而這個模型可以利用具有強自旋軌道耦合的半導體納米線，可以在外加磁場下實現與s波超導耦合，進而出構造高質量的拓撲量子比特器件。
簡單的來說，這東西可以構成量子晶體管的基礎，而量子晶體管是量子芯片的核心。
當然，再怎么樣核心的東西，都離不開最為基礎的材料。
傳統統芯片是以硅為原材料的半導體；
而量子芯片原材料則更為豐富，可以是超導體、半導體、絕緣體或者金屬都可以。但不管如何，它都離不開核心的量子比特效應。
如何讓量子比特不受干擾的完成自己的使命，是當前量子器件的核心難題。
而拓撲量子材料在這方面理論上來說有著優異的性能。
比如內稟拓撲超導體，其本身具有拓撲非平庸的帶隙結構。
而通過調控外磁場，可以實現有序的、密度和幾何形狀可調的渦旋結構，這為操縱和編織馬約拉納零模態了一個理想的材料平臺。
而理論上來說，四個馬約拉納零能模就可編織成一個拓撲量子比特，這種準粒子的編織操作是實現容錯拓撲量子計算的重要途徑。
因為它直接避開了傳統量子超導半導體界面這一復雜問題。
事實上，這么優秀的材料，自然引起了科學界的重視。
但它的缺點也不小。
如果構建這種合適的拓撲量子材料，就是最大的問題。
比如所需特征離費米能級太遠，分布的能量范圍太大等等。
但對于徐川來說，他在模擬數據上找到了一條理論上應該可行的道路。
想著，徐川快速的拾起了桌上的圓珠筆，在a4稿紙上揮寫了起來。
盡管這份突如起來的靈感早已經偏離了他原本的研究。
但如果一切順利的話，他或許能為解決這個麻煩完整的理論支持，為量子計算機的到來推上那么一把助力請牢記收藏,網址最新最快無防盜免費閱讀</p>