“將’鍵穴結’的思想推廣到’反接雙結字符組合’上面，組合形式便成為’多鍵-多穴-多鍵’，或者’多穴-多鍵-多穴’這兩種結構形式。
“以’多鍵-多穴-多鍵’結構為例，想象’多穴晶體’的厚度比’多鍵晶體’薄上很多，而且’多穴晶體’的熱摻雜率遠遠小于’多鍵晶體’。
“為了表述方便，可以把該結構豎直起來，按照元流傳輸方向，從上到下將三段晶體分別稱為’集鍵區’、’基區’、’發射區’。
“’集鍵區’與’基區’之間是第一個’鍵穴結’，可稱為’上方結’；’基區’與’發射區’之間是第二個’鍵穴結’，可稱為’下方結’。
“在’基區’與’發射區’之間外接正向元壓va，構成第一個回路，其中元流記為ia；在’集鍵區’與’發射區’之間外接正向元壓vb，構成第二個回路，其中元流記為ib，該回路總元壓為vc，并且串聯一個’阻’字符，起到分壓作用；再將這兩個回路于’發射區’后端媾合，共地相連，則’發射區’后端的元流為ia與ib的和。
“這種使用形式在’反接雙結字符組合’中極為常見，可以叫做’共發射區回路模式’，圖示如下…
“’反接雙結字符組合’的典型應用，便是輸入元流對于輸出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流ia對于元流ib的放大作用，我們可以簡要分析一下：
“調整回路，使得元壓vc大于元壓vb大于元壓va，且元壓vb與元壓vc的差值大于’上方結’的反向偏置元壓，則’上方結’呈反向導通狀態，’下方結’呈正向導通狀態。
“前面說過，’基區’很薄且熱摻雜率很小，則’下方結’中形成鍵子多而空穴少的局面，大量鍵子在外加元壓的作用下進入’基區’，只有很小一部分填補進空穴；
“而’上方結’由于是反向導通狀態，與’下方結’的元流方向相同，所以兩個’鍵穴結’中的鍵子遷移方向也相同，在適當元壓的作用下，’下方結’中的大量多余鍵子便會穿過’基區’，進入到’上方結’中。
“如前所述，這種鍵子遷移作用是晶體內部元流的一種可能形式，而且鍵子遷移作用越高，內部元流也就越大。
“從’下方結’到’上方結’的鍵子遷移形成的元流，與’上方結’中本身存在的反向飽和元流加在一起，便是’共發射區’回路模式中，第二個回路的輸出元流。
“在這種情況下，由于’下方結’中的大量鍵子進入到第二個回路當中，第一個回路中的鍵子遷移作用便明顯很少，根據回路中元壓值的設置，以及上述’鍵穴結’的思想，可以近似認為，第一個回路中的元流只由少量鍵子與少量空穴結合產生，而且’下方結’中的少量鍵子填入’基區’空穴后，又在外加元壓va的作用下，源源不斷流出’下方結’，’下方結’的空穴便也源源不斷出現，從而持續驅動整個回路，使得總體的鍵子遷移作用持續下去。
“’上方結’中的反向飽和元流極小，在計算中可以忽略，則元流ib可近似為從’下方結’到’上方結’的大量鍵子遷移，而元流ia是’下方結’中的少量鍵子遷移，元流ia與ib之間近似擁有一種比例關系，即ib=αia，這個α，便是’反接雙結字符組合’中的’元流放大系數’。”
“當然，不同形式的’反接雙結字符組合’在實際使用中，擁有不同的’元流放大系數’，歸根結底卻只是’結’字符繪制形式的不同，在’鍵穴結’思想中，’元流放大系數’也受到三段晶體的厚度與熱摻雜率的影響，從而出現不同的數值。
“上述部分是’反接雙結字符組合’的基礎，可以看到，其輸入元壓是直流形式、內部元流也固定不變，可以稱為’反接雙結字符組合’的’靜態工作點’。
“在魔法陣學中，輸入的元力都是波動的，具有一定頻率的帶寬，在數論思想上，可以將其分解為線性疊加的兩部分——即具有一定幅度的直流成分，以及與坐標橫軸上下對稱的交流成分。
“根據法神大人的’元力頻率理論’，元力中的直流成分代表著元力強弱，而交流成分才是區分元力的重心，你應該知道，’容’字符具有隔絕直流成分、無損傳輸交流成分的特性，所以在實際陣法之中，一般會在輸入元流與’反接雙結字符組合’之間，串聯一個適當大小的’容字符’。