我在現實世界加點修行正文卷360徒手搓晶圓“小劉，小鄒，你們確實沒有在糊弄我？”林剛把話說完，就感覺自己有些冒失了。
因為視頻里的兩人都是那處航天基地中出來的。
就拿劉成棟而言，他本人是基地的二把手，論起職位級別比林衛國這個光電所的所長還要高上那么一頭。
林衛國也是仗著年齡大，資歷老，才會喊對方一聲小劉。
至于另一位鄒穎就更不必說了，她是基地中的技術部門負責人，經常會與光電所這樣的兄弟單位進行合作交流，對彼此的情況也非常熟悉。
就拿最先研發投產的虛擬投影腕表而言，里面幾項核心技術就是采用了光電所的技術儲備。
從這樣兩個位高職重的“熟人”口中得知了制造原子級別精度光刻機的事情，林衛國的心中就不免起了幾分將信將疑的心思。
沒辦法，誰讓這兩人提到的原子級別的精度實在是太匪夷所思了一點！
說到這，就不得不先簡單提一下芯片制造的整個流程：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。
而其中最為關鍵的技術步驟，就是光刻。
什么是光刻？
簡單點理解就是通過特殊波動的光線將設計好的電路圖案“印刷”到晶圓上。
現目前市面上主流的光刻機，按照制程范圍可以分兩種：一種是通過準分子激光，將193納米光源進行折射的duv光刻機。
duv光刻機基本只能做到25納米級別，像著名的因特爾公司就采用雙工作臺的魔改方式將duv光刻機的精度做到10納米，但是無法達到10納米以下。
不過duv光刻已經是過去式，另外一種更加先進的euv光刻機，采取的是等離子激光發射，它能發射的光源光波波長能達到13.5納米。
在這個曝光精度區間下，一些先進點的晶圓大廠利用多層曝光的手段，亦或是多工作平臺的疊加，大幅度提升分辨率，讓曝光刻蝕的電路精度級別得到數倍的提升，從而產出7納米甚至更高級別的5納米芯片。
但是這樣的取巧方法帶來的結果就是，最終晶圓流片的良品率偏低，進而導致芯片制造成本的成倍上升。
這也是為何，高端芯片的價格始終居高不下。
想要解決這個問題，就必須不斷提升光刻機的曝光精度，改善芯片的制造工藝。
那么陳決提出的0.1納米精度是什么概念？
就目前人類掌握的精度級別，別說是國內的這些光電所和那些半路出家的半導體研發企業了，就算交給整個行業龍頭的風車國asml公司都得耗費上幾十年、甚至半個世紀去追趕。
一旦拿到這樣精度級別的光刻母機，別說什么7納米、5納米芯片了，就算規格、性能再提升百倍、千倍的芯片都能分分鐘造出來。
這也是為何林衛國在聽到這個消息后，會表現地如此震驚，實在是因為基地這邊的這顆“衛星”放地太大了一些。
……
“林所，這么重大的事情，我們哪敢忽悠您啊！”
“就是這里頭涉及到的一些機密技術，不太方面在視頻里說。”
“您老要是不放心，就抓緊帶一批制造光刻母機的原材料過來！數量越多越好，過了這村可就沒這個店了！”劉成棟在視頻電話里頗為焦急地說道。</p>