第二個月：“我覺得應該是硒空位缺陷導致的費米面重構不完整，吳工，嘗試一下增加后退火步驟，在真空下加熱到400°c，促進界面電荷轉移。”林燃提醒道“我覺得界面效應會是關鍵，srtio3的極性層會誘導二維電子氣，提升tc。”
這和2014年nature的一篇文獻有關，在那篇文獻里有提到，fese/srtio3系統可以利用界面效應將tc從8k推到100k以上。
團隊迭代三次，調整硒/鐵比從6:1到8:1，終于在第四個樣品上看到進步：xrd顯示銳利峰，表明完美晶格匹配。
第三個月，才開始初見曙光，使用高壓氧摻雜，fese薄膜的晶格扭曲，a軸參數從3.76增加到3.78，電子-聲子耦合增強。
在模擬觀測中，顯示tc能達105k。
林燃說：“我知道大家很高興，但這還不夠，我們需要繼續優化。
因為月球南極的輻射環境會干擾oper對，但低溫能抑制熱噪聲。
我們需要集成輻射屏蔽層，用硼摻雜金剛石作為緩沖，bdd的tc雖只有11k，但其寬帶隙能阻擋宇宙射線。”
他們開始摻雜實驗：在be腔內引入氧氣束，壓力控制在10-6torr，摻雜水平0.1-0.2原子%。
測試使用四探針法測量電阻-溫度曲線：在氦氣制冷機下，從300k降溫，電阻在110k附近驟降到零，磁化率測試確認issner效應，臨界電流密度jc達105a/。
“教授，根據失敗樣品分析，st顯示氧團簇導致相分離。”吳工說。
林燃思考片刻后說道：“調整氧束能量可行嗎”
他們調整氧束能量從5ev到3ev來對均勻性進行優化調整。
第四個月，團隊終于做出第二個樣品：一個5見方的芯片，表面閃爍著金屬光澤，集成bdd屏蔽層厚度2μ。
測試在液氮模擬下，電阻驟降到零，能夠運行簡單ai算法：芯片處理100x100矩陣乘法，效率比硅基高500%，且無熱積累。
整個團隊空前振奮，因為至少到了這里，這條路是可行的。
從路徑的層面，這是能夠超過硅基的材料。
在地球上，我們沒有辦法在短期內超過英偉達，那么我們就仰望星空。
在團隊士氣為之一振的時候，林燃提醒道：“這只是地球測試，月球的微重力會影響薄膜應力，我們需模擬真空脫氣。”
第六個月，團隊在真空模擬艙里進行最終驗證。
實驗人員戴上手套，動作小心地將樣品放入測試架。
所有成員都屏氣凝神，有的在實驗室外等結果，有的在辦公室等結果：這是最后一步，如果通過，就能送上月球。
“啟動模擬！”林燃命令道。
艙內抽真空到10-7torr，溫度通過輻射冷卻降到100k，模擬月球輻射用質子束轟擊，每平方厘米1010粒子/秒。
芯片連接上ai測試電路：輸入一個卷積神經網絡模型，處理模擬月球圖像數據。
屏幕上顯示電阻保持零，計算誤差率lt;0.1%，jc在輻射下僅下降5%。
“林總，它穩定了！