這項技術雖然沒有大規模商業化，但已經有了雄厚的基礎，在過去的二十年間，全球科學家圍繞半導體納米線開展了系統深入的研究，為半導體納米線功能器件領域，帶來了蓬勃發展。
根據ebofsce的檢索結果統計，從1999年到2015年，全世界關于半導體納米線研究sci論文總數超過17萬篇。
經過這些年的發展，大家對半導體納米線的可控制備、性能調控、器件構筑與應用的認識不斷加深。
半導體納米線技術也漸漸在不同領域，展現了巨大應用潛力，正逐漸從基礎研究走向實際應用。
目前，基于半導體納米線的場效應管、納米發電機、納米芯片、場發射器件、太陽能電池、發光二極管、激光器、光電探測器、光波導器件、存儲器件、光催化以及高敏感化學與生物傳感器等功能器件，相繼被研制出來。
雖然，這些僅僅是實驗室產品，成本極高，并無法大規模商用。
它未來的潛力和價值，卻是無法估量的。
特別是在半導體領域，半導體納米線承載著全球科學家的期盼，有望實現半導體功能器件領域的變革性發展。
根據一些相關領域的大牛展望，半導體納米線功能器件，或許將成為納米科技走向應用的重要突破點。
對芯片、各種半導體器材而言，小型化、低能耗和智能化一直是其重要的發展趨勢。
當半導體器件線寬小于100n時，將對設備和制造工藝提出更高要求，成本增加巨大，傳統工藝的局限性越嚴重。
而基于傳統工藝的光刻機，從起初的uv光刻機水平，逐步提升到了duv光刻機水平，再發展到現在的euv光刻機水平，在這條路上越走越遠。
設備越來越大，成本越來越高。
它還有一個致命的缺點，就是有自身的物理極限，發展到一定的地步，就無法再深入發展下去了。
眾所周知，光刻機也稱紫外線光刻機，是利用紫外線加工芯片，duv光刻機就是深紫外線光刻機，euv光刻機就是極深紫外線光刻機。
光的顏色越靠近紅色，它的頻率越低；越靠近紫色，它的頻率就越高。光的速度是一個常數，頻率越高，波長越小。
euv光刻機采用的光頻率是極深紫外線頻率，對應的波長大約為1015納米；duv光刻機采用的光頻率是深紫外線頻率，對應的波長大約為200納米；uv光刻機采用的光頻率是紫外線頻率，其對應的波長大約為360納米。
也就是說，光刻機越先進，需要的光頻率越高。
光的頻率，它是一個物理客觀存在的數值，是很難通過人為的手段去改變提高的。
現在采用的是極深紫外線頻率，很難再找到更高頻率的光線，所以光刻機的水平也很難再被提升。
光刻機技術得不到提升，直接導致芯片的制造工藝得不到有效地提升，也讓芯片的制造工藝不可能由14納米、7納米、5納米、3納米、2納米這樣一直小下去，它是有物理極限的。
另外，用光刻機制造芯片的原材料硅晶，也有他自身的材料極限。
硅晶的最小的單位“硅原子”直徑大約為022納米。
如今傳統的芯片制造工藝，是不可能比硅原子還小，超過022納米。這個也是它的一個物理極限。
也就是說，傳統的芯片制造工藝有兩大極限。