COi8DFIC的分子結構，有些類似于之前徐正宏課題組在NC文章報道的DBC-IC。
中央D單元同樣是采用非完全共軛稠環的結構，三個TT單元首先經由碳碳單鍵連接，在兩個連接處，再分別用一個氧原子和一個碳原子延伸出來，和周邊的兩個TT單元形成一個非共軛的六元環，六元環上的碳原子上是sp3雜化的，可以引入兩個側鏈。
末端A單元，采用的是許秋他們開發的ICIN-2F單元。
這個材料是由國家納米科學技術中心的李丹課題組開發出來的。
他們連續報道了兩個體系，分別是二元的體系，還有三元的體系，器件效率分別為和兩篇文章均發表在期刊上，也就是之前提到的舉國之力推舉的一本期刊。
許秋推測他們把工作發表在這里，可能也是有完成上面任務的因素。
當然，他們也算是吃到了一波紅利，后面變為綜合類一區了嘛。
而且，這兩篇文章都非常的短，他們發表的格式是“ShortCommunication（短通訊）”。
本來相較于正常Article格式的文章，Communication就夠短的了，一般是三千個單詞左右，三到五張圖片的樣子。
而現在這個ShortCommunication更夸張，正文只有兩頁半，全文就一張圖片，整合了分子結構、光吸收光譜、熒光光譜、J-V特性曲線以及EQE曲線。
不過，實驗方面的工作量其實也沒少太多，因為其他的表征測試也是做了的，包括光源GIWAXS，電鏡TEM、AFM，電荷遷移率SCLC，只是被放在了支持信息中，里面有足足20張圖片。
當然，文章短不短的，對許秋來說也無關緊要。
他主要關注到三個點，即COi8DFIC體系具有“超窄禁帶寬度”、“高電流密度”、“對膜厚不敏感”的特點。
COi8DFIC的禁帶寬度只有1.26電子伏特，光吸收帶邊可以達到1000納米，已經接近硅的禁帶寬度了，常溫下本征半導體硅的禁帶寬度為1.12電子伏特。
也因此，基于COi8DFIC二元體系的器件，短路電流密度就高達26毫安每平方厘米，三元體系更是達到了28毫安每平方厘米，比許秋現階段拿到手的Y系列受體都夸張。
當然，高短路電流密度也是有代價的，那就是開路電壓偏低，只有0.68伏特。
不然，給這種電流密度配上一個0.8伏特以上的開路電壓，打破現階段世界紀錄的課題組就不是許秋，而是李丹課題組了。
同時，COi8DFIC還兼顧了IDIC系列的優點，在制備厚膜器件時，器件性能的衰減幅度較小。
因此，許秋初步判斷，這種材料或許是IEICO-4F等近紅外受體材料的上位替代，值得進行嘗試。
周日。
因為周六加班的緣故，許秋一覺睡到中午才醒。
他取過手機，打算看一眼時間，卻發現微信像是被轟炸了一樣，全是未讀消息，還有一通來自魏興思的未接來電。
難怪許秋在睡夢中總感覺周圍在震動，原來不是錯覺，而是手機在震。
他首先看了眼魏老師的來電記錄，是早上九點鐘的，響鈴7聲就掛斷了，且沒有二次撥打。
一般這種情況下，就不是什么要緊的事情，可能只是魏興思突然有了一個科研想法，想和許秋分享一下之類的。
于是，許秋就沒有回撥過去，反正下午就要見面了嘛，有什么事情都可以當面溝通。
微信消息，大多數都是來自校內的研究生同學們，包括陶焱、穆雪等等，還有課題組里莫文琳、韓嘉瑩她們，此外，甚至還有幾個很久都沒有聯系的老同學，也發來了消息。
許秋隨意點開了最上面的幾條消息查看，發現他們都在說同一件事，并附帶了一個轉發過來的鏈接。